HUF75329D3

HUF75329, HUF75329D3, HUF75329D3S, HUF75329D3ST, HUF75329G3, HUF75329P3, HUF75329S3

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHUF75329D3HUF75329D3SHUF75329D3STHUF75329G3HUF75329P3HUF75329S3
Корпус мікросхеми
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63TO-247-3TO-220-3 (Straight Leads)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийКрізь отвірКрізь отвірПоверхневий
Потужність
P
<128 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.06 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<55 В
Постійний струм стоку
IDSS
<20 А<20 А<20 А<49 А<49 А<49 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<26 мОмId, Vgs = 20A, 10V<26 мОмId, Vgs = 20A, 10V<26 мОмId, Vgs = 20A, 10V<24 мОмId, Vgs = 49A, 10V<24 мОмId, Vgs = 49A, 10V<24 мОмId, Vgs = 49A, 10V
Серія MOSFET
Серія
UltraFET™
Заряд затвору
QG
65 нCVgs = 20V65 нCVgs = 20V65 нCVgs = 20V75 нCVgs = 20V75 нCVgs = 20V75 нCVgs = 20V
FET Feature
FET Feature
Standard