HUF75309

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		HUF75309D3S	HUF75309D3ST	HUF75309P3	HUF75309T3ST
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий	Поверхневий	Крізь отвір	Поверхневий
Потужність	P	<55 Вт	<55 Вт	<55 Вт	<1.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	352 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<55 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<19 А	<19 А	<19 А	<3 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<70 мОмId, Vgs = 19A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 19A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 19A, 10V	<70 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Серія MOSFET	Серія	UltraFET™	UltraFET™	UltraFET™	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	24 нCVgs = 20V	24 нCVgs = 20V	24 нCVgs = 20V	23 нCVgs = 20V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate