На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HUF75307D3 | HUF75307D3ST | HUF75307T3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <45 Вт | <45 Вт | <1.1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 250 пФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <15 А | <15 А | <2.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 2.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | UltraFET™ | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 20V | 20 нCVgs = 20V | 17 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate |