HAT2201R

HAT2201, HAT2201R, HAT2201WP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHAT2201RHAT2201WP
Корпус мікросхеми
Корпус
8-SOPWPAK
Виробник
Виробник
Renesas Technology America
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<2.5 Вт<15 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.45 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<6 А<15 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<43 мОмId, Vgs = 3A, 10V<43 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V
Заряд затвору
QG
21 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard