На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HAT2200R | HAT2200WP | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOP | WPAK |
Виробник | Виробник | Renesas Technology America | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2.5 Вт | <20 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.3 нФVds = 10V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <8 А | <20 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <28 мОмId, Vgs = 4A, 10V | <28 мОмId, Vgs = 10A, 10V |
Заряд затвору | QG | 32 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |