На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | HAT2168H | HAT2168H-EL-E | HAT2168N-EL-E | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | LFPAK | LFPAK | LFPAK-i |
Виробник | Виробник | Renesas Technology America | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <15 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.73 нФVds = 10V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7.9 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <7.9 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <8.2 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||