HAT2167

HAT2167, HAT2167H

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрHAT2167H
Корпус мікросхеми
Корпус
LFPAK
Виробник
Виробник
Renesas Technology America
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<20 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.7 нФVds = 10V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<40 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<5.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Заряд затвору
QG
17 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate