На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQU7N10LTU | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 290 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 6 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |