FQU3N60CTU

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQU3N60CTU	FQU3N60TU
Корпус мікросхеми	Корпус	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<50 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	565 пФVds = 25V	450 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<600 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<2.4 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<3.4 ОмId, Vgs = 1.2A, 10V	<3.6 ОмId, Vgs = 1.2A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	14 нCVgs = 10V	13 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard