На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQU2N60CTU | FQU2N60TU | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <2.5 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 235 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.9 А | <2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.7 ОмId, Vgs = 950mA, 10V | <4.7 ОмId, Vgs = 1A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 10V | 11 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |