На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQU1N60CTU | FQU1N60TU | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <2.5 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 170 пФVds = 25V | 150 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <1 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <11.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 6.2 нCVgs = 10V | 6 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |