На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQU13N06LTU | FQU13N06LTU_WS | FQU13N06TU | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <11 А | <10 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 6.4 нCVgs = 5V | 6.4 нCVgs = 5V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |