FQU10N20LTU

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQU10N20CTU	FQU10N20LTU	FQU10N20TU	FQU10N20TU_AM002
Корпус мікросхеми	Корпус	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<50 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	510 пФVds = 25V	830 пФVds = 25V	670 пФVds = 25V	670 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<7.8 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	26 нCVgs = 10V	17 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Logic Level Gate	Standard	Standard