FQPF9N50CF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQPF9N50C	FQPF9N50CF	FQPF9N50CT	FQPF9N50CYDTU	FQPF9N50T	FQPF9N50YDTU
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<44 Вт	<44 Вт	<44 Вт	<44 Вт	<50 Вт	<50 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.03 нФVds = 25V	1.03 нФVds = 25V	1.03 нФVds = 25V	1.03 нФVds = 25V	1.45 нФVds = 25V	1.45 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<500 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<9 А	<9 А	<9 А	<9 А	<5.3 А	<5.3 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<850 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V	<730 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V	<730 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™	FRFET™	QFET™	QFET™	QFET™	QFET™
Заряд затвору	Q_G	35 нCVgs = 10V	35 нCVgs = 10V	35 нCVgs = 10V	35 нCVgs = 10V	36 нCVgs = 10V	36 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard