На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQPF6N80C | FQPF6N80CT | FQPF6N80T | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <51 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.31 нФVds = 25V | 1.31 нФVds = 25V | 1.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.5 А | <5.5 А | <3.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.5 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <2.5 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <1.95 ОмId, Vgs = 1.65A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 30 нCVgs = 10V | 30 нCVgs = 10V | 31 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||