FQPF1N50

FQPF1N50

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFQPF1N50
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<16 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
150 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<500 В
Постійний струм стоку
IDSS
<900 мА
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<9 ОмId, Vgs = 450mA, 10V
Серія MOSFET
Серія
QFET™
Заряд затвору
QG
5.5 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard