FQPF19N20T

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQPF19N20C	FQPF19N20T
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Потужність	P	<43 Вт	<50 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.08 нФVds = 25V	1.6 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В	<100 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<19 А	<11.8 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V	<150 мОмId, Vgs = 5.9A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	53 нCVgs = 10V	40 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard