На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQPF12N60C | FQPF12N60CT | FQPF12N60T | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <51 Вт | <51 Вт | <55 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.29 нФVds = 25V | 2.29 нФVds = 25V | 1.9 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | <12 А | <5.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <650 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <650 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <700 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 63 нCVgs = 10V | 63 нCVgs = 10V | 54 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||