На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQPF10N60C | FQPF10N60CF | FQPF10N60CT | FQPF10N60CYDTU | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <50 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.04 нФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <9.5 А | <9 А | <9.5 А | <9.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <730 мОмId, Vgs = 4.75A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <730 мОмId, Vgs = 4.75A, 10V | <730 мОмId, Vgs = 4.75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | FRFET™ | QFET™ | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 57 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||