На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQP19N20C | FQP19N20C_F080 | FQP19N20CTSTU | FQP19N20L | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <139 Вт | <139 Вт | <139 Вт | <140 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 1.08 нФVds = 25V | 1.08 нФVds = 25V | 2.2 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <19 А | <19 А | <19 А | <21 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 53 нCVgs = 10V | 53 нCVgs = 10V | 53 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Logic Level Gate |