На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQI9N50CTU | FQI9N50TU | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <135 Вт | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.03 нФVds = 25V | 1.45 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <730 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |