На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQI4N20LTU | FQI4N20TU | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <3.13 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 310 пФVds = 25V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <3.8 А | <3.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.35 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 1.8A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 5.2 нCVgs = 5V | 6.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Standard |