FQI2N90

FQI2N90, FQI2N90TU

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFQI2N90TU
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<3.13 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
500 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<900 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2.2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<7.2 ОмId, Vgs = 1.1A, 10V
Серія MOSFET
Серія
QFET™
Заряд затвору
QG
15 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard