На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQE10N20CTU | FQE10N20LCTU | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-126-3 (Straight Leads) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <12.8 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 490 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <360 мОмId, Vgs = 2A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 26 нCVgs = 10V | 19 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate |