На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD8P10TF | FQD8P10TF_NB82052 | FQD8P10TM | FQD8P10TM_F080 | FQD8P10TM_SB82052 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 470 пФVds = 25V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <6.6 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <530 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 10V | ||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||