На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD7P06TF | FQD7P06TM | FQD7P06TM_F080 | FQD7P06TM_NB82050 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 295 пФVds = 25V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.4 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <451 мОмId, Vgs = 2.7A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 8.2 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||