На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD7N20LTF | FQD7N20LTM | FQD7N20TF | FQD7N20TM | FQD7N20TM_F080 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 500 пФVds = 25V | 500 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.5 А | <5.5 А | <5.3 А | <5.3 А | <5.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <750 мОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <750 мОмId, Vgs = 2.75A, 10V | <690 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V | <690 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V | <690 мОмId, Vgs = 2.65A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 9 нCVgs = 5V | 9 нCVgs = 5V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V | 10 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |