На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD5N50CTF | FQD5N50CTM | FQD5N50CTM_F080 | FQD5N50TF | FQD5N50TM | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 625 пФVds = 25V | 625 пФVds = 25V | 625 пФVds = 25V | 610 пФVds = 25V | 610 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А | <4 А | <4 А | <3.5 А | <3.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2A, 10V | <1.8 ОмId, Vgs = 1.75A, 10V | <1.8 ОмId, Vgs = 1.75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 24 нCVgs = 10V | 24 нCVgs = 10V | 24 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||