На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD4N20LTF | FQD4N20LTM | FQD4N20TF | FQD4N20TM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | (не задано) | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.2 А | <3.2 А | <3 А | <3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.35 ОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <1.35 ОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 1.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 5.2 нCVgs = 5V | 5.2 нCVgs = 5V | 6.5 нCVgs = 10V | 6.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |