На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD3N60CTM_WS | FQD3N60TF | FQD3N60TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <50 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 565 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <2.4 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.4 ОмId, Vgs = 1.2A, 10V | <3.6 ОмId, Vgs = 1.2A, 10V | <3.6 ОмId, Vgs = 1.2A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 14 нCVgs = 10V | 13 нCVgs = 10V | 13 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||