На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD3N30TF | FQD3N30TM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2.5 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 230 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <300 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.2 ОмId, Vgs = 1.2A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 7 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |