FQD30N06LTF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQD30N06LTF	FQD30N06LTM	FQD30N06TF	FQD30N06TF_F080
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	1.04 нФVds = 25V	1.04 нФVds = 25V	945 пФVds = 25V	945 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<24 А	<24 А	<22.7 А	<22.7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<39 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<39 мОмId, Vgs = 12A, 10V	<45 мОмId, Vgs = 11.4A, 10V	<45 мОмId, Vgs = 11.4A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard