На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD30N06LTF | FQD30N06LTM | FQD30N06TF | FQD30N06TF_F080 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.04 нФVds = 25V | 1.04 нФVds = 25V | 945 пФVds = 25V | 945 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <24 А | <24 А | <22.7 А | <22.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <39 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <39 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <45 мОмId, Vgs = 11.4A, 10V | <45 мОмId, Vgs = 11.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |