На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD2N80TF | FQD2N80TM | FQD2N80TM_WS | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 550 пФVds = 25V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <1.8 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.3 ОмId, Vgs = 900mA, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||