На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD20N06LETM | FQD20N06LTF | FQD20N06LTM | FQD20N06TF | FQD20N06TM | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 665 пФVds = 25V | 630 пФVds = 25V | 630 пФVds = 25V | 590 пФVds = 25V | 590 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <17.2 А | <17.2 А | <17.2 А | <16.8 А | <16.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <60 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 8.6A, 10V | <63 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V | <63 мОмId, Vgs = 8.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 13 нCVgs = 5V | 13 нCVgs = 5V | 13 нCVgs = 5V | 15 нCVgs = 10V | 15 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |