На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD19N10LTF | FQD19N10LTM | FQD19N10TF | FQD19N10TM | FQD19N10TM_F080 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 870 пФVds = 25V | 870 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V | 780 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <15.6 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 18 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V | 25 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |