На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD17N08LTF | FQD17N08LTM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <2.5 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 520 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <80 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <12.9 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 6.45A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 11.5 нCVgs = 5V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |