На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD13N10LTF | FQD13N10LTM | FQD13N10LTM_NBEL001 | FQD13N10TF | FQD13N10TM | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 520 пФVds = 25V | 520 пФVds = 25V | 520 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <180 мОмId, Vgs = 5A, 10V | ||||
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||||
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 5V | 12 нCVgs = 5V | 12 нCVgs = 5V | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |