На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD13N06LTF | FQD13N06LTM | FQD13N06TF | FQD13N06TM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V | 310 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <11 А | <10 А | <10 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <115 мОмId, Vgs = 5.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |||
Заряд затвору | QG | 6.4 нCVgs = 5V | 6.4 нCVgs = 5V | 7.5 нCVgs = 10V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |