На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQD12N20LTF | FQD12N20LTM | FQD12N20LTM_F085 | FQD12N20TF | FQD12N20TM | FQD12N20TM_F080 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 1.08 нФVds = 25V | 1.08 нФVds = 25V | 910 пФVds = 25V | 910 пФVds = 25V | 910 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <280 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |||||
Заряд затвору | QG | 21 нCVgs = 5V | 21 нCVgs = 5V | 21 нCVgs = 5V | 23 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard | Standard |