FQD10N20CTM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQD10N20CTF	FQD10N20CTM	FQD10N20CTM_F080	FQD10N20LTF	FQD10N20LTM	FQD10N20TF	FQD10N20TM
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<50 Вт	<50 Вт	<50 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	510 пФVds = 25V	510 пФVds = 25V	510 пФVds = 25V	830 пФVds = 25V	830 пФVds = 25V	670 пФVds = 25V	670 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<7.8 А	<7.8 А	<7.8 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V	<360 мОмId, Vgs = 3.8A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	26 нCVgs = 10V	26 нCVgs = 10V	26 нCVgs = 10V	17 нCVgs = 5V	17 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard