На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB9N50CFTM | FQB9N50CFTM_WS | FQB9N50CTM | FQB9N50TM | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <173 Вт | <173 Вт | <135 Вт | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.03 нФVds = 25V | 1.03 нФVds = 25V | 1.03 нФVds = 25V | 1.45 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <9 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <850 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <850 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V | <730 мОмId, Vgs = 4.5A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | FRFET™ | QFET™ | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 10V | 36 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||