На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB8N60CFTM | FQB8N60CTM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <147 Вт | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.255 нФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <600 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.26 А | <7.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.5 ОмId, Vgs = 3.13A, 10V | <1.2 ОмId, Vgs = 3.75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | FRFET™ | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 36 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |