На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB7N10LTM | FQB7N10TM | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <3.75 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 290 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <7.3 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 3.65A, 10V | |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | |
Заряд затвору | QG | 6 нCVgs = 5V | 7.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |