На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB6N80TM | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <800 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <5.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.95 ОмId, Vgs = 2.9A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 31 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |