FQB6N60TM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		FQB6N60CTM	FQB6N60TM
Корпус мікросхеми	Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<125 Вт	<3.13 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	810 пФVds = 25V	1 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<600 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<5.5 А	<6.2 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<2 ОмId, Vgs = 2.75A, 10V	<1.5 ОмId, Vgs = 3.1A, 10V
Серія MOSFET	Серія	QFET™
Заряд затвору	Q_G	20 нCVgs = 10V	25 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard