На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB5N50CFTM | FQB5N50CTM | FQB5N50TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <96 Вт | <73 Вт | <3.13 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 625 пФVds = 25V | 625 пФVds = 25V | 610 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <5 А | <5 А | <4.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.55 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <1.4 ОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <1.8 ОмId, Vgs = 2.25A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | FRFET™ | QFET™ | QFET™ |
Заряд затвору | QG | 24 нCVgs = 10V | 24 нCVgs = 10V | 17 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||