FQB2P40

FQB2P40, FQB2P40TM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFQB2P40TM
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<3.13 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
350 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<400 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<6.5 ОмId, Vgs = 1A, 10V
Серія MOSFET
Серія
QFET™
Заряд затвору
QG
13 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard