FQB27N25

FQB27N25, FQB27N25TM_AM002

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрFQB27N25TM_AM002
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<3.13 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.45 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<250 В
Постійний струм стоку
IDSS
<25.5 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<110 мОмId, Vgs = 12.75A, 10V
Серія MOSFET
Серія
QFET™
Заряд затвору
QG
65 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard