На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | FQB19N20CTM | FQB19N20LTM | FQB19N20TM | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <3.13 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 2.2 нФVds = 25V | 1.6 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <19 А | <21 А | <19.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <170 мОмId, Vgs = 9.5A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 10.5A, 10V | <150 мОмId, Vgs = 9.7A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | QFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 53 нCVgs = 10V | 35 нCVgs = 5V | 40 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||